東北大学 末光・吹留研究室のホームページへようこそ！
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末光・吹留研究室では、表面物理の学理に基づいてSi半導体技術の革新を探求します。Si基板上SiC薄膜、そして更にその上に形成したグラフェンの高品質化を追求し、パワートランジスタ、MEMS、超高速（THz）トランジスタの開発を行っています。
新着情報
- 2018.7.2
- 末光眞希先生 御退官記念・最終講義を更新しました。
- 2018.7.2
- 研究室紹介動画を追加しました。
- 2017.9.5
- 末光教授が応用物理学会フェローを受賞しました。
- 2016.8.5
- メンバー紹介を更新しました。
- 2016.5.10
- 写真2015年を追加しました。
- 2016.5.9
- メンバー紹介を更新しました。
- 2016.4.25
- 発表論文2015年を更新しました。
- 2015.10.23
- メンバー紹介を更新しました。
- 2015.4.27
- 末光研連絡先メールアドレスを更新しました。
- 2015.1.07
- 写真2014年を追加しました。
- 2015.1.07
- 発表論文2013年、2014年を更新しました。
- 2014.11.03
- H26研究室配属に向けた学部３年生向け特設ページをオープンしました！
- 2013.10.30
- H25研究室配属に向けた学部３年生向け特設ページをオープンしました！
- 2013.10.25
- 当研究室のWebページをリニューアルしました！
- 2013.06.14
- 「グラフェンのナノパターン成長技術を確立」と題してプレスリリースを行いました。
東北大学電気通信研究所の吹留博一准教授らは、東北大学大学院工学研究科、及び（公財）高輝度光科学研究センターと共同で、次世代材料として有望視されているグラフェンとSiテクノロジーとの融合デバイスの実現に向けた、微細加工Si基板上へのグラフェンの位置選択的な結晶成長技術の確立に初めて成功しました。本研究成果は、立体的なグラフェンの多機能集積回路の基盤技術になることが期待されます。詳しくはこちらをご覧ください。 - 2013.04.01
- 東北大学工学部理数学生育成講義アドバンスト創造工学の学生ブログに掲載されました。
- 2011.11.08
- 「Si基板上へのグラフェン多機能デバイスの開発に道」と題してプレスリリースを行いました。
東北大学電気通信研究所の吹留博一助教らは、シリコン(Si)基板の面方位による、Si基板上に成長させた次世代電子材料グラフェン(GOS)の多機能化(金属性・半導体性の切り分け)に成功し、GOSを用いたトランジスタの集積化も可能であることを示しました。現在の半導体集積技術を用いてグラフェンの多機能化・集積可能性を示したことは、グラフェンの多機能集積回路への道を拓いたという意味で、画期的な成果です。詳しくはこちらをご覧ください。 - 2011.10.03
- 表面科学会平成23年度論文賞を当研究室からのグラフェン論文が受賞することになりました。
- 2011.10.03
- JJAP Top 20 Most Downloaded Articles in August 2011 に当研究室からの論文２本が入りました！
- 2010.10.29
- 当研究室のMyung-Ho Jungさんが、Excellent Student Paper Award を受賞されました！
去る2010年10月27日～29日に東北大学にて開催された『 2nd International Symposium on Graphene Devices 』にて、当研究室ドクター３年のMyung-Ho Jungさんが発表した " Investigation of graphene field effect transistors with Al2O3 gate dielectrics formed by metal oxidation "が《 Excellent Student Paper Award 》 を受賞しました。 - 2010.01.25
- eJSSNT Paper of The Year 2009 受賞しました！
当研究室が発表した論文 "Raman-Scattering Spectroscopy of Epitaxial Graphene Formed on SiC Film on Si Substrate" が、2009年1月1日～12月31日の１年間に最も多くダウンロードされた同誌論文に贈られる Paper of The Year 2009を受賞しました。 - 2009.10.15
- 当研究室の半田浩之さんが、Best of bests presentation award を受賞されました！
去る9月25日に仙台エクセルホテル東急にて開催された『 Global COE Program International Conference 2009 in conjunction with Japan-Korea Asian Core Program General Meeting 2009 』にて、当研究室ドクター２年の半田浩之さんが発表した ”Control of epitaxial growth of graphene on silicon substrates ”が《 The Best of bests Presentation Award 》を受賞しました。これは８１件のポスター発表の中からただ1件選ばれたものです。
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