東北大学 末光・吹留研究室の発表論文をご紹介
2007年発表論文
Real-time observation of initial thermal oxidation on Si(110)-16x2 surfaces by O1s photoemission spectroscopy using synchrotron radiation
Jpn. J. Appl. Phys.,(2007)
M. Suemitsu, A. Kato, H. Togashi, A. Konno, Y. Yamamoto, Y. Teraoka, A. Yoshigoe, Y. Narita
Hydrogen-Controlled Crystallinity of 3C-SiC Film on Si(001) Grown with Monomethylsilane
Jpn. J. Appl. Phys.,46(2),(2007),L40-L42
Yuzuru Narita, Atsushi Konno, Hideki Nakazawa, Takashi Itoh, Kanji Yasui, Tetsuo Endoh, Maki Suemitsu
Observation of Initial Oxidation Process on Si(110)-16×2 by Scanning Tunneling Microscopy
Jpn. J. Appl. Phys. 46(2007) No.5B, pp 3239-3243
Hideaki Togashi, Yuya Takahashi, Atsushi Kato, Atsushi Konno, Hidehito Asaoka, Maki Suemitsu
MoO2方形断面ナノチューブ【解説】
応用物理学会応用電子物性分科会誌 13（2007）No1.pp20-24
末光眞希、及川大治、半田浩之、阿部俊三
XPS and STM Studies on Initial Oxidation of Si(110)-16x2
Mater. Res. Soc. Symp. Proc. Vol. 996 (2007) 0996-H01-04
Maki Suemitsu, Hideaki Togashi, Atsushi Kato, Yuya Takahashi, Atsushi Konno, Yoshihisa Yamamoto, Yuden Teraoka, Akitaka Yoshigoe, and Hidehito Asaoka
常圧プラズマCVDによるSi系薄膜堆積【解説】Sputtering and Plasma Processes (in Japanese) 22(2007)
Maki Suemitsu, Mitsutaka Matsumoto, Yasutake Toyoshima
ヘテロエピタキシャル成長におけるストレスその場測定
Journal of The Surface Science Society of Japan (in Japanese) 28(2007) pp.500-503
Hidehito Asaoka, Tatsuya Yamazaki, Shin-ichi Shamoto, Alguno Arnold, Seiichi Goto, and Maki Suemitsu
ホットメッシュCVD法によるGaN成長-ルテニウムコーティッドタングステンメッシュの効果-
信学技報 IEICE Technical Report CPM2007-115 (2007-11)
深田祐介，安部和貴，黒木雄一郎，末光眞希，伊藤 隆，成田 克，遠藤哲郎，中澤日出樹，高田雅介，安井寛治，赤羽正志